最新LPDDR6标准发布！三星下半年量产

电子发烧友网综合报道，最新准JEDEC固态技术协会近日宣布发布最新一代低功耗内存LPDDR6标JESD209-6，标布星旨在显著提高包括移动设备和人工智能在内的下半各种用途的内存速度和效率。新的年量JESD209-6LPDDR6标准代表了内存技术的重大进步，提供了增强的最新准性能、能效和安全性。标布星

高性能

为了实现AI应用程序和其他高性能工作负载，下半LPDDR6采用了双子通道架构，年量允许灵活操作，最新准同时保持32字节的标布星精细访问粒度。此外，下半LPDDR6的年量主要功能包括：

每个管芯配置2个子通道，每个子通道有12条数据信号线（DQ），最新准以优化通道性能
每个子通道包括4个命令/地址（CA）信号，标布星经过优化以减少焊球数并提高数据访问速度
静态效率模式旨在支持高容量内存配置并最大限度地利用存储资源
灵活的下半数据访问，动态突发长度控制，支持32B和64B访问
动态写入NT-ODT（非目标管芯端接）使存储器能够根据工作负载需求调整ODT，提高信号完整性

电源效率

为了满足日益增长的能效需求，与LPDDR5相比，LPDDR6使用电压更低、功耗更低的VDD2电源运行，并要求为VDD2提供双路电源供电。其他节能功能包括：

交替的时钟命令输入用于提高性能和效率
低功耗动态电压频率缩放（DVFSL）在低频操作期间降低VDD2电源，以降低功耗
动态效率模式利用单个子信道接口实现低功耗、低带宽用例
支持部分自刷新和主动刷新，以减少刷新功耗

安全可靠

与之前版本的标准相比，安全性和可靠性方面的改进包括：
支持DRAM数据完整性的每行激活计数（PRAC）
定义元数据分区模式，通过为关键任务分配特定内存区域来增强系统整体可靠性
支持可编程链路保护方案和片上纠错码（ECC）
能够支持命令/地址（CA）奇偶校验、错误清除和内存内置自检（MBIST），以增强错误检测和系统可靠性

JEDEC董事会主席Mian Quddus表示：“通过提供能效、强大的安全选项和高性能的平衡，LPDDR6是下一代移动设备、人工智能和相关应用在注重功耗、高性能的时代的理想选择。”

据外媒报道，三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。而高通下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存，并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。